RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
比較する
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
総合得点
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
総合得点
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
17.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
92
周辺 -300% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
1,266.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
92
23
読み出し速度、GB/s
2,105.4
17.5
書き込み速度、GB/秒
1,266.1
13.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
339
3171
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link