RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
3516
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link