RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
2415
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link