RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
60
Autour de -131% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2323
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link