RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link