RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link