RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link