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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.4
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
2110
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
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