RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2110
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link