RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
3122
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link