RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3122
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link