RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
29
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2177
3380
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link