RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
29
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
18.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3380
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link