RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Note globale
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2177
3260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link