RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Kingston 9905701-017.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-8GZH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link