RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3168
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link