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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
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Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
40
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2455
3448
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Comparaison des RAM
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SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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