RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3308
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link