RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3133
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link