RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3133
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link