RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3133
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link