RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2479
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link