RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2479
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link