Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB против Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Средняя оценка

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Причины выбрать
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 84

Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.8 5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.6 3.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

84 38
Скорость чтения, Гб/сек

5.0 14.8
Скорость записи, Гб/сек

3.6 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

878 2825

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

модули RAM