RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
53
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2831
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link