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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
53
Autour de -66% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
2831
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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