RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link