RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link