RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3414
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link