RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3414
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link