RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3414
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link