RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3933
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link