RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3933
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link