RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3933
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link