RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2516
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link