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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de 12% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2876
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