RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2876
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link