RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3029
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link