RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3029
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link