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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
96
Autour de 70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
96
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
5.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1211
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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