RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
62
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
33
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
2702
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link