RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
62
Autour de -114% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
29
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3831
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link