RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
20.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3831
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link