RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
62
Autour de -182% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
22
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3392
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link