RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
62
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
40
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
2254
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link