RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
62
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
40
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2254
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link