RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
24
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3528
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link