RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
24
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
17
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3528
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link