RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
24
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.6
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.6
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
17
Velocità di lettura, GB/s
16.0
21.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
18.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3528
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link