RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
87
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2302
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston KCDT82-MIE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KV1RX3-HYC 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link