Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Note globale
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Note globale
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    34 left arrow 62
    Autour de -82% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.7 left arrow 7.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.6 left arrow 5.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 10600
    Autour de 2.01 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    62 left arrow 34
  • Vitesse de lecture, GB/s
    7.4 left arrow 15.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.9 left arrow 11.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1612 left arrow 2776
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons