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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
62
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
34
Velocità di lettura, GB/s
7.4
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2776
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
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