RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
62
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
38
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
2382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link