RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
62
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
38
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link